半導體微影設備業者艾司摩爾（ASML）公布最新技術發展成果，透過設備設計優化與生產力提升，每片晶圓的曝光能耗已有顯著改善。該公司預估在2026年時，極紫外光（EUV）微影設備每片曝光晶圓的能源消耗，比起2018年將累計降低67%，展現先進製程技術推進同時兼顧能源效率的效益。
設備能效提升與先進製程轉型
隨著半導體製造邁入先進節點，極紫外光技術成為高階晶片量產不可或缺的核心。然而，高功率設備運作帶來的電力需求，也讓製造過程的能源管理面臨考驗。該公司指出，在其長期技術路線圖的規劃下，除了提高設備的輸出功率與產能效率外，也將設備使用階段的能耗控制列為研發重點。透過改善光源利用與優化系統設計，期盼在滿足全球對高效能晶片需求的同時，降低單位晶圓在微影製程中所消耗的電能。
企業營運與供應鏈之淨零進程
在減碳時程方面，該公司表示其台灣據點與全球營運範疇已於2025年達到100%使用再生電力。針對半導體產業供應鏈繁複的特性，下階段減碳策略將鎖定上游供應商，預計於2030年實現上游供應鏈的淨零排放。最終目標則訂於2040年達成包含自身營運、供應鏈體系以及客戶產品使用階段在內的整體價值鏈淨零，該目標時程較聯合國所訂定的2050年提前了十年。
永續觀點
半導體製造產業屬於高耗能的製造業，其碳足跡往往集中在晶圓廠營運與先進設備的使用階段。從生命週期角度來看，設備製造商若能改善機台效率，直接效益便能反映在晶圓代工廠的範疇二（Scope 2）間接能源碳排放上。對於關注永續發展的企業而言，選用具備高效能且能源效率佳的設備，是推動晶片製造低碳轉型的關鍵手段之一。對於一般消費者與科技從業人員來說，這項轉變意味著日常使用的智慧型手機或高效能運算裝置，在其源頭生產環節正逐漸減輕對環境的負荷；企業在進行綠色採購與碳盤查時，亦應特別注意供應鏈設備能效對產品整體碳足跡的深遠影響。
名詞與背景
極紫外光（Extreme Ultraviolet, EUV）微影技術是半導體先進製程中的關鍵微縮技術，利用極短波長的光線在晶圓上繪製極為精密的電路圖案。由於EUV光源生成需要極高能量，機台耗電量遠高於上一代深紫外光（DUV）設備，因此能效優化成為晶片製造綠色轉型的重點課題。在企業溫室氣體盤查中，通常會分為自身直接排放的範疇一、購買電力等能源間接排放的範疇二，以及涵蓋上下游價值鏈的範疇三（Scope 3）。對於設備商而言，其售出設備給客戶營運使用時所產生的能源消耗，即屬於範疇三碳排放，必須透過前期的產品綠色設計（Eco-design）來達成根本性的減碳。
常見問題
極紫外光（EUV）設備為何需要持續提升能源效率？
EUV 設備運作需消耗大量電力以產生極短波長光源，提升其能源效率有助於降低晶圓代工廠在先進製程中的單位能耗與碳排放。
艾司摩爾（ASML）設定了哪些關鍵的淨零碳排時程？
該公司於2025年達成全球營運100%使用再生電力，並預計於2030年實現上游供應鏈淨零，最終目標是在2040年達成全價值鏈淨零排放。
設備製造商降低機台能效對半導體供應鏈有何直接影響？
機台能耗降低能直接減少晶圓製造廠使用設備時的範疇二能源碳排放，促進整條半導體產品生命週期的低碳轉型。